7月2日晚间，东微半导（688261）(688261)公告，拟发行可转债募集资金总额(含发行费用)不超过14.36亿元(含14.36亿元)，扣除发行费用后的募集资金净额将用于新一代功率管理控制芯片研发及产业化项目、研发中心建设项目并补充流动资金。
新型功率器件技术和产品研发及产业化项目实施主体为苏州东微半导（688261）体股份有限公司，实施地点为江苏省苏州市。总投资为5.48亿元，拟使用募集资金不超过5.48亿元。公司拟通过本项目对公司现有的高性能功率器件技术进行纵深迭代与横向拓展，并推动一系列研发成果的产业化。本项目建设期36个月，项目建成后，公司将实现新研发产品在数据中心电源、新能源汽车（885431）、固态变压器等市场的规模销售，显著增强在高端功率半导体（881121）领域的技术竞争力，进一步助力上述领域的芯片国产化替代。
东微半导（688261）称，公司在功率半导体（881121）领域具有超过十五年的技术积累。2025年度公司研发费用为9231.76万元，同比增长21.93%；截至2025年末，公司研发人员数量较上年同期增长13.04%，研发人员平均薪酬较上年同期增长18.09%，持续研发投入和团队扩充为项目实施提供了坚实的基础。
目前公司在SiC MOSFET领域已取得关键进展，第二代、第三代650V和1200V平台多个产品已进入稳定交付阶段，1700V系列产品已通过客户测试并获得订单，650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET已研发成功并推进客户验证。本项目将继续拓展公司SiC器件从耐压3300V至10kV的各个平台，推进SiC JFET、SiCSuper Junction MOSFET等差异化产品的研发，补充公司在高端SiC器件领域的产品布局，形成一系列超高耐压SiC MOSFET产品及低内阻SiC JFET产品，确保数据中心电源、固态变压器等领域的关键SiC器件的供应链安全。
同时截至2025年末，公司在低压GaN HEMT技术取得了阶段性突破，多个电压等级产品已完成扩充并积极推进客户验证，推向量产。本项目将推动高压、中压、低压GaN HEMT器件研发及产业化，完善公司的GaN产品矩阵，以期把握数据中心电源市场快速增长的窗口期。
此外，2026年，氧化镓已经在大尺寸衬底上实现了技术突破，预期未来2—3年其良率、一致性和可靠性等问题有望得到解决，并在工业电源、快充桩、电网等领域进入批量使用阶段。根据Yole预测，到2030年，全球氧化镓功率器件的市场规模将突破20亿美元。2040年，氧化镓功率器件的市场规模将超过200亿美元，氧化镓也将成为功率半导体（881121）市场的主流材料之一。在产业化进程方面，国内多家企业已在积极布局第四代半导体材料（884091）及器件的研究与开发。为保持行业竞争力，公司需前瞻性地布局以氧化镓为代表的第四代半导体（881121）技术。公司已启动Ga O理论研究，并与高校合作完成SBD仿真验证，对Ga O衬底供应商进行了评估。本项目将推动公司从理论研究向原型器件的开发过渡，通过开发SBD和垂直MOSFET原型器件，建立Ga O器件自主设计与工艺能力，为第四代半导体（881121）产品进行技术布局，抢占下一代功率器件技术的技术制高点。
